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本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据

集成电路与等离子体装备

弹性半导体结构的机械变形-电场-热场-载流子分布等物理场的耦合分析十分复杂。《弹性半导体的多场耦合理论与应用》基于连续介质力学、连续介质热力学及静电学的基本原理，建立了半导体的连续介质物理模型。以该模型为基础，采用材料力学及板壳力学的建模方法系统地研究了典型弹性半导体结构中的多场耦合问题，包括一维和二维压电半导体结构（

目前以有机/聚合物和半导体量子点为代表的新型电致发光材料与器件受到了国内外众多企业和人士的广泛关注。本书从新型电致发光材料与器件原理，以及关键材料的开发与应用技术出发，内容涵盖有机电致发光概念与过程、有机电致发光材料、有机电致发光器件、半导体量子点材料、半导体量子点电致发光器件、卤素钙钛矿材料及其电致发光器件等。全书反

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本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导

本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺，详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺，并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。

传感器是信息获取的源头，位于信息技术链条的最前端。本书从气体传感器的应用领域和系统分类出发，重点围绕基于混成电位原理的固体电解质气体传感器的研究进展、发展现状及未来趋势进行介绍。本书主要内容包括固体电解质气体传感器的种类和特点、钇稳定氧化锆基混成电位型气体传感器的混成电位原理、增感策略、高效三相界面构筑、其他增感策略以

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

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本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展，结合作者的研究成果撰写而成，系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，进而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本

全书较为系统地论述了压接型IGBT器件封装疲劳失效机理及其可靠性建模与测评等，既有理论原理、仿真分析、又有实验测试等。全书内容可为高压大功率压接器件的可靠性设计优化和测试奠定理论基础；同时也为实现柔直装备安全运行的状态评估和主动运维提供技术支撑，从而进一步支撑以高压大功率IGBT器件为核心的柔直装备及电力系统安全。

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本书采用通俗易懂的语言、图文并茂的形式，详细讲解了智能制造SMT设备操作与维护的相关知识，覆盖了SMT生产线常用的设备，主要包括上板机、印刷机、SPI设备、双轨平移机、贴片机、AOI设备、缓存机、回流焊、X-ray激光检测仪、AGV机器人、传感器、烤箱、电桥等，还对SMT生产线的运行管理做了介绍。本书内容丰富实用，讲解

薄膜晶体管（TFT）是一种金属-绝缘层-半导体场效应管，迄今已经历了60年的发展，在原理与技术方面的创新层出不穷。《薄膜晶体管原理与技术》首先概述TFT的物理基础及典型薄膜工艺原理；接着以氢化非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物和有机TFT为主，系统介绍TFT相关的材料、器件及制备技术；再以有源驱动液晶显示和有机发光显示两种

本书面向世界科技前沿和国家重大需求，针对高效率Ⅲ族氮化物LED芯片设计和制造的关键问题，基于作者在III族氮化物LED外延生长和芯片制造领域十余年的研究基础和产业化经验，融入国内外同行在这一领域的研究成果，从蓝光/绿光/紫外LED外延结构设计与材料生长、水平结构/倒装结构/垂直结构/高压LED芯片设计与制造工艺、LED