《半导体结构》主要内容总体可被划分为两个部分，分别是晶体的结构理论和晶体的缺陷理论。第一部分主要围绕理想晶体（完美晶体）的主要性质与基本概念撰写，加深读者对晶体结构和关键性质的理解。第一部分拟通过五个章节分别介绍晶体的基本概念、晶体结构、对称性、晶体结构描述方法及典型半导体晶体的重要物理、化学特性和这些特性与晶体微观、

本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据

集成电路与等离子体装备

弹性半导体结构的机械变形-电场-热场-载流子分布等物理场的耦合分析十分复杂。《弹性半导体的多场耦合理论与应用》基于连续介质力学、连续介质热力学及静电学的基本原理，建立了半导体的连续介质物理模型。以该模型为基础，采用材料力学及板壳力学的建模方法系统地研究了典型弹性半导体结构中的多场耦合问题，包括一维和二维压电半导体结构（

本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题，介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述，包括国内外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4～7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响，提出多种批间控制衍生算法，包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变

本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导

本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺，详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺，并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展，结合作者的研究成果撰写而成，系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，进而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ

本书采用通俗易懂的语言、图文并茂的形式，详细讲解了智能制造SMT设备操作与维护的相关知识，覆盖了SMT生产线常用的设备，主要包括上板机、印刷机、SPI设备、双轨平移机、贴片机、AOI设备、缓存机、回流焊、X-ray激光检测仪、AGV机器人、传感器、烤箱、电桥等，还对SMT生产线的运行管理做了介绍。本书内容丰富实用，讲解

本书系统全面地阐述了真空镀膜技术的基本理论知识体系以及各种真空镀膜方法、设备及工艺。对最新的薄膜类型、性能检测及评价、真空镀膜技术及装备等内容也进行了详细的介绍，如金刚石薄膜的应用及大面积制备技术、工艺、性能评价等。本书叙述深入浅出，内容丰富而精炼，工程实践性强，在强化理论的同时，重点突出了工程应用，具有很强的实用性，

《芯片用硅晶片的加工技术》由浅入深地介绍了半导体硅及集成电路的有关知识，并着重对满足纳米集成电路用优质大直径300mm硅单晶抛光片和太阳能光伏产业用晶体硅太阳电池晶片的制备工艺、技术，以及对生产工艺厂房的设计要求进行了全面系统的论述。书中附有大量插图、表格等技术资料，可供致力于半导体硅材料工作的科技人员、企业管理人员和

本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低

表面组装技术（SMT）是指把表面组装元器件按照电路的要求放置在预先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通过焊接形成可靠的焊点，建立长期的机械和电气连接的组装技术。本书以表面组装技术（SMT）生产过程为主线，详细介绍了电子产品的表面组装技术，主要内容包括表面组装技术概述、表面组装材料、表面涂敷、贴片、焊接、清洗、检测与返修等，其

光刻机像质检测技术是支撑光刻机整机与分系统满足光刻机分辨率、套刻精度等性能指标要求的关键技术。本书系统地介绍了光刻机像质检测技术。介绍了国际主流的光刻机像质检测技术，详细介绍了本团队提出的系列新技术，涵盖了光刻胶曝光法、空间像测量法、干涉测量法等检测技术，包括初级像质参数、波像差、偏振像差、动态像差、热像差等像质检测技

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宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的**选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O

《非晶Ge基磁性半导体的磁性和电输运研究》采取非热平衡制备条件，利用磁控溅射的方法在纯氩气（Ar）以及氩氢（Ar；H）混合气体中，制备了高FeCo掺杂含量的非晶Ge基磁性半导体（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge异质结，从磁特性和电输运特性的角度进行了研究。《非晶Ge基磁性半导体的磁性和电输运