电路和滤波器手册系列首次出版后又有了新的突破。它迅速成为可以被立即采用的全面覆盖重要问题和实用信息的资源。编者陈惠开教授不满足于第1版的成功。在更新的第2版中使得《模拟与超大规模集成电路（第3版）》中的信息更容易理解。这些内容已经进行了修改、更新和扩充，使它们能够通过标准的示例和启发性的观点对新兴技术继续提供立体的覆盖。
《模拟与超大规模集成电路（第3版）》汇集了国际上的学者提供的最新的有关模拟和VLSI电路的信息，省略了大量的理论和公式推导，以利于在每章提供更多的例子。第一部分的内容侧重于模拟集成电路。提供最新的分立器件模型、模拟电路单元、高性能模拟电路、射频通信电路和PLL电路的知识。在书的后半部分，由知名学者提供了VLSI电路的最新发现，包括数字电路、数字系统和数据转换器。
《模拟与超大规模集成电路（第3版）》分为两大部分，共10章。其中涵盖模拟集成电路的第一部分共6章；涵盖超大规模集成电路的第二部分共4章。第1章介绍BJT、MOSFET等常用器件工作原理以及模型，以便为后面章节电路分析时所采用。第2章介绍模拟集成电路中常用电路单元的工作原理。第3章讨论宽带双极网络中放大器设计中要考虑的高频寄生效应问题。第4章介绍RF通信电路设计技术和面临的问题。第5章介绍锁相环电路的技术及应用。第6章介绍电抗脉冲形成网络的合成技术。第7章介绍数字信号处理的基本理论。第8章介绍基本的数字电路理论。第9章介绍数字系统，包括可编程逻辑器件、MOS存储电路、基于微处理器的设计以及脉动阵列。第10章介绍模数及数模转换器电路的相关技术。
第一部分 模拟集成电路
第1章 单器件模型
1.1 双极型晶体管
1.1.1 Ebers-Moll模型
1.1.2 Gummel-Poon模型
1.1.3 双极型晶体管的电流增益
1.1.4 大电流现象
1.1.5 小信号模型
1.1.6 工艺
1.1.7 模型参数
1.1.8 锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）
1.2 金属-氧化物-硅场效应晶体管
1.2.1 引言
1.2.2 沟道电荷
1.2.3 伏-安特性
1.2.4 晶体管的电容
1.2.5 小信号工作
1.2.6 基于设计的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技术与器件
1.3.1 引言
1.3.2 硅JFET器件工作原理和技术
1.3.3 化合物半导体FET工艺
1.3.4 结论
1.4 无源器件
1.4.1 电阻
1.4.2 电容
1.4.3 电感
1.5 模拟集成电路中芯片的寄生效应
1.5.1 互连寄生效应
1.5.2 压焊点和封装寄生参数
1.5.3 寄生参数测量
第2章 模拟电路单元
第3章 高性能模拟电路
第4章 射频通信电路
第5章 锁相环（PLL）电路
第6章 电抗脉冲形成网络的合成
第二部分 超大规模集成电路
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