半导体器件物理基础（第二版）

定　　价：36 元

• 作者：曾树荣 编著
• 出版时间：2007/1/1
• ISBN：9787301054567
• 出 版 社：北京大学出版社

• 中图法分类：TN303 
• 页码：378
• 纸张：胶版纸
• 版次：2

内容简介

　　本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必须的知识，包括半导体基本知识和pn结理论；其余各章为第二部分，阐述主要半导体器件的基本原理和特性，这些器件包括：双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题，书后附有习题参考解答。
　　本书简明扼要，讨论深入，内容丰富，可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。

目 录

主要符号表
第一章 半导体基本知识
　1.1 半导体材料和载流子模型
　1.2 晶格振动
　1.3 载流子输运现象
　1.4 半导体的光学性质
第二章 Pn结
　2.1 热平衡状态
　2.2 耗尽区和耗尽层电容
　2.3 真流特性
　2.4 交流小信号特性：扩散电容
　2.5 电荷存储和反向恢复时间
　2.6 结的击穿
第三章 双极型晶体管
　3.1 基本原理 主要符号表
第一章 半导体基本知识
　1.1 半导体材料和载流子模型
　1.2 晶格振动
　1.3 载流子输运现象
　1.4 半导体的光学性质
第二章 Pn结
　2.1 热平衡状态
　2.2 耗尽区和耗尽层电容
　2.3 真流特性
　2.4 交流小信号特性：扩散电容
　2.5 电荷存储和反向恢复时间
　2.6 结的击穿
第三章 双极型晶体管
　3.1 基本原理
　3.2 双极型晶体管的真流特性
　3.3 双极型晶体管模型
　3.4 双极型晶体管的频率特性
　3.5 双极型晶体管的开关特性
　3.6 异质结双极晶体管（HBT）
　3.7 多晶硅发射极晶体管（PET）
　3.8 Pnpn结构
第四章 化合物半导体场效应晶体管
　4.1 肖特基势垒和欧姆接触
　4.2 GaAs MESFET
　4.3 高电子迁移率晶体管（HEMT）
第五章 MOS器件
第六章 微波二极管，量子效应器件
第七章 半导体光器件
附录