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直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化 
定 价：228 元
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9 7 6 8 6 7 7 0 0 3 6 0 9 读者对象:该书可供从事硅晶体生长研究的科研人员，单晶炉设计开发人员、硅单晶生产人员和高校相关专业教师及学生参考
本书是作者长期从事直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化研究的总结。书中在概述硅单晶发展前景、主要生长设备及关键工艺的基础上，介绍直拉硅单晶生长过程数值模拟方法、工艺流程与参数设置、热系统设计与制造等方面的内容；从介观层面阐述多物理场耦合作用对晶体生长的影响，并给出关键工艺参数选取方法；提出一系列结合变量检测、智能优化及先进控制技术的硅单晶工艺研究理论和工程实现方法。本书在理论和实验两方面均进行详尽阐述并给出部分工程实验结果，具有问题驱动、理论牵引、内容具体、结合实际、指导性强等特点。
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