本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航VDMOS器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节

作为薄膜晶体管(TFT)技术的入门教材，本书以非晶硅薄膜晶体管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶体管(p-SiTFT)为例详细讲解了与TFT技术相关的材料物理、器件物理和制备工艺原理及其在平板显示中的应用原理等。本书共分7章。第1章简单介绍了薄膜晶体管的发展简史；第2章详细阐述了TFT在平板显示有源矩阵驱动中的应用原理；

薄膜晶体管（TFT）是一种金属-绝缘层-半导体场效应管，迄今已经历了60年的发展，在原理与技术方面的创新层出不穷。《薄膜晶体管原理与技术》首先概述TFT的物理基础及典型薄膜工艺原理；接着以氢化非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物和有机TFT为主，系统介绍TFT相关的材料、器件及制备技术；再以有源驱动液晶显示和有机发光显示两种

本书基于作者在薄膜晶体管液晶显示器领域的开发实践与理解，并结合液晶显示技术的最新发展动态，首先介绍了光的偏振性及液晶基本特点，然后依次介绍了主流的广视角液晶显示技术的光学特点与补偿技术、薄膜晶体管器件的SPICE模型、液晶取向技术、液晶面板与电路驱动的常见不良与解析，最后介绍了新兴的低蓝光显示技术、电竞显示技术、量子点

《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用（原书第3版）》共17章，第1章概述了氮化镓（GaN）技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关

《晶体管非线性模型参数提取技术》旨在对晶体管模型参数提取提供全面的概述：一方面，基本前提是参数提取与建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使对不同的技术，提取方法也往往基于同样的想法和假设；因此，《晶体管非线性模型参数提取技术》的目的是给出一个较为宽泛的想法，聚焦于一个主题和概念，而非限定在某一特定的晶体管类型。《

本书从有机薄膜晶体管的发展历程、器件结构与原理、材料种类、器件性能及应用等方面对这种新型的有机电子器件作了较全面的论述。重点梳理了作者及国内外同行在有机薄膜晶体管有源层及介电层材料方面的研究成果，涵盖小分子材料、高分子材料、液晶材料、介电材料、材料计算模拟、有机单晶材料的发展与生长方法等。系统阐述了提高有机薄膜晶体管器

TFTLCD液晶显示器在平板显示器中脱颖而出，在显示器市场上独占鳌头。目前以TFTLCD为代表的平板显示产业发展迅速，为适应平板显示产业迅速发展的要求，本书作者编写了薄型显示器丛书。 本册全面阐述TFTLCD液晶显示器制作技术，共分5章，包括第5章液晶显示器的设计和驱动，第6章LCD的工作模式及显示屏构成，第7章TFT

本书基于薄膜晶体管液晶显示器的生产和设计实践，首先介绍了薄膜晶体管液晶显示器的基本概念和器件原理，然后以产品开发的角度从面板设计与驱动、液晶盒颜色设计、液晶光学设计、电路设计和机构光学设计方面的基础内容进行了详细介绍，接着介绍了显示器的性能测试方法，最后再介绍了阵列、彩膜、液晶盒和模组四大工艺制程。

本书主要讲述双极型晶体管和场效应晶体管的基本工作原理及其频率特性、功率特性、开关特性，并描述这些特性的相关参数。讲述了新型半导体器件包括最新发明的石墨烯场效应晶体管和常温单电子晶体管的结构和特性。