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当前分类数量:219  点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【TN30 一般性问题】 分类索引
  • 新型高压低功耗氧化镓功率器件机理与实验研究
    • 新型高压低功耗氧化镓功率器件机理与实验研究
    • 魏雨夕,罗小蓉,魏杰著/2025-4-1/ 电子科技大学出版社/定价:¥58
    • 氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强,可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求,在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔,但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系,且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此,本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件

    • ISBN:9787577015460
  • 半导体存储与系统
    • 半导体存储与系统
    • (意)安德烈·雷达利(AndreaRedaelli)等著/2025-3-1/ 机械工业出版社/定价:¥129
    • 本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后,本书重点介绍了各种主流技术,详述了它们的现状、挑战和机遇,并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器

    • ISBN:9787111777366
  • 半导体工艺原理
    • 半导体工艺原理
    • 悟弥今编著/2025-3-1/ 化学工业出版社/定价:¥198
    • 。本册为《半导体工艺原理》,主要内容包括:锗和硅的化学制备与提纯、半导体材料的生长、硅片加工、氧化工艺、薄膜沉积工艺、外延工艺、光刻工艺概述、光刻设备、光刻材料、刻蚀工艺、掺杂工艺等。

    • ISBN:9787122472366
  • 硅基氮化镓外延材料与芯片
    • 硅基氮化镓外延材料与芯片
    • 李国强/2025-1-1/ 科学出版社/定价:¥158
    • 本书共8章。其中,第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义,着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发,依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3~7章依次介绍了Si基Ga

    • ISBN:9787030809582
  • 半导体器件建模与测试实验教程
    • 半导体器件建模与测试实验教程
    • 杜江锋,石艳玲,朱能勇编著/2025-1-1/ 电子工业出版社/定价:¥58
    • 本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介

    • ISBN:9787121493713
  • 碳化硅功率模块设计
    • 碳化硅功率模块设计
    • (日)阿尔贝托·卡斯特拉齐(AlbertoCastellazzi)等著/2024-12-1/ 机械工业出版社/定价:¥119
    • 本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案,主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片S

    • ISBN:9787111766544
  • 衍射极限附近的光刻工艺(第2版)
    • 衍射极限附近的光刻工艺(第2版)
    • 伍强、胡华勇、何伟明、岳力挽、张强、杨东旭、黄怡、李艳丽/2024-11-1/ 清华大学出版社/定价:¥368
    • "为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局

    • ISBN:9787302676119
  •  半导体工艺可靠性 [中]甘正浩 [美]黄威森 [美]刘俊杰
    • 半导体工艺可靠性 [中]甘正浩 [美]黄威森 [美]刘俊杰
    • [中]甘正浩 [美]黄威森 [美]刘俊杰/2024-10-1/ 机械工业出版社/定价:¥199
    • 半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。

    • ISBN:9787111764946
  • 氮化镓电子器件热管理
    • 氮化镓电子器件热管理
    • (美)马尔科·J.塔德尔(MarkoJ.Tadjer),(美)特拉维斯·J.安德森(TravisJ.Anderson)主编/2024-9-1/ 机械工业出版社/定价:¥168
    • 本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法,以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaNHEMT器件物理与电热建模、氮

    • ISBN:9787111764557
  •  宽禁带功率半导体封装 材料、元件和可靠性 菅沼克昭
    • 宽禁带功率半导体封装 材料、元件和可靠性 菅沼克昭
    • [日]菅沼克昭(Katsuaki Suganuma)/2024-9-1/ 机械工业出版社/定价:¥119
    • 本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先,对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断,讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性,包括其独特的物理和化学属性,以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性,分别就互连技术和衬底展开论述,同时,介绍了磁性材料,并对不同材料结构的热性能,以及冷

    • ISBN:9787111763178