氮化镓作为宽禁带半导体的典型代表之一，在电学、光学、力学、抗辐照等方面均表现优异。本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统介绍了宽禁带氮化镓凹槽阳极结构的物理特性和实现方法，重点讲述了氮化镓凹槽阳极二极管器件。全书共分为8章，内容包括绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特

本书为《新兴半导体》分册。新兴半导体发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，被公认为最有发展前景的战略性新兴产业，在消费类电子、5G通讯、新能源汽车、智能电网、航天等领域具有广阔的应用前景。本分册围绕新兴半导体这一“核芯”领域，从高载流子迁移率半导体材料、忆阻半导体材料、新型红外半导体材料及超宽禁带半导体材料

本书力图全面深入地介绍太阳能电池的原理、技术与应用，为读者提供一本兼具理论深度和实践指导的权威之作。本书详细阐释了太阳能与太阳能电池的基本物理原理与特性，系统梳理了各类太阳能电池的发展脉络，深入探讨了太阳能电池的测试原理与分析方法，重点介绍了太阳能电池性能提升的前沿技术，进一步阐述了光伏发电系统的设计与应用。

本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片S

本书作为职业学院教材，主要讲述了光伏组件制造的基本操作规范与准备工作、电池片的检测、辅助材料的制备、电池片的焊接、划片和叠层操作、层压操作、装框、清洗与固化、组件检测与装箱操作等内容，希望通过理论教学，让学生先从理论上掌握制造光伏组件的关键技术，然后再将理论与实际操作相结合，达到最终提升学生实际动手能力，提升学生就业能

"为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局

半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。

以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相关合金）是极为重要的宽禁带半导体材料，这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍，并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件，使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高

本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷