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本书面向Ⅲ族氮化物半导体LED的特性和应用研究，第一部分给出LED的光电子学特性分析方法以及器件性能提升方法，第二部分则在此基础上给出LED在可见光通信、可见光定位以及照明显示中的应用。

本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基Ga

本书系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系，详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。全书共12章，其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性，第2～11章将进一步按照副族周期元素对三十余种电子

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